InAlN材料表面态性质研究*

• 作者: 卢励吾 杨彦楠 沈波 王新强 许福军 黄呈橙
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 不同In组分的InAlN材料 表面态 电流-电压特性 变频电容-电压特性
• 年，卷（期）: 2013,（17）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 439-445
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.177302

摘要

运用电流-电压(I-V ),变频电容-电压(C-V )和原子力显微镜(AFM)技术研究In组分分别为15%,17%和21%的Ni/Au/-InAlN肖特基二极管InAlN样品表面态性质(表面态密度、时间常数和相对于InAlN导带底的能级位置)。 I-V 和变频C-V 方法测量得到的实验结果表明,随着In组分增加,肖特基势垒高度逐渐降低,表面态密度依次增加。变频C-V 特性还表明,随着测试频率降低, C-V 曲线有序地朝正电压方向移动,该趋势随着In组分的增加而变得更加明显,这可能归结于InAlN表面态的空穴发射。 AFM表面形貌研究揭示InAlN表面粗糙度增加可能是表面态密度增加的主要原因。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王新强	北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室	9	12	2.0	3.0
2	卢励吾	北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室	2	7	1.0	2.0
3	许福军	北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室	2	7	1.0	2.0
4	杨彦楠	北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室	1	7	1.0	1.0
5	黄呈橙	北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室	1	7	1.0	1.0