低成本高可靠性0.5μm700V超高压BCD工艺

• 作者: 宁开明 徐向明 金锋 钱文生
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 器件 低成本 比导通电阻 高可靠性
• 年，卷（期）: 2013,（12）
• 所属期刊栏目: 功率集成电路及其应用专辑
• 页码范围: 21-23
• 页数: 3页
• 分类号: TN303
• 字数: 2284字
• 语种: 中文

摘要

低成本高可靠性超高压双极型CMOS-DMOS(BCD)工艺技术是功率器件的发展方向.提出了一种利用非外延技术开发出的超高压BCD工艺,仅用14层光刻就能支持1P2M.该工艺平台包含7.5 V/40 V/200 V/700 V以及结型场效应管(JFET)、双极结型晶体管(BJT)等器件,甚至可实现耐压为1 kV的nLDMOS器件.其中关键器件700 V nLDMOS可向用户提供不同尺寸的器件,非隔离(Non_ISO)和隔离(ISO)类型器件的比导通电阻分别为11.3 Ω·mm2,11.1 Ω·mm2,且该器件具有更高的可靠性.同时,该平台已用于量产,工艺十分稳定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宁开明		1	1	1.0	1.0
2	金锋		2	1	1.0	1.0
3	徐向明		1	1	1.0	1.0
4	钱文生		2	1	1.0	1.0