高介电HfOxNy薄膜的微结构及界面特性的研究

• 作者: 王莹 陈元安
• 来源期刊: 硅酸盐通报
• 学科: 物理学
• 关键词: HfOxNy薄膜 射频反应磁控溅射 微结构 界面特性
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 927-929
• 页数: 3页
• 分类号: O484
• 字数: 1999字
• 语种: 中文

摘要

本文采用射频反应磁控溅射氧化铪钯的方法,在硅衬底成功制备了高介电HfOxNy薄膜.利用XRD研究了氮的参入对薄膜微结构的影响,结果表明,氮的参入可以提高薄膜的晶化温度；傅立叶红外吸收光谱研究表明高温退火导致了HfOxNy薄膜与Si之间界面层的生长,并且随着退火温度的升高,界面层逐步增厚.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王莹		14	6	1.0	2.0
2	陈元安		7	2	1.0	1.0