掺杂与非掺杂ZnO薄膜的对比分析

• 作者: 赵文海
• 来源期刊: 电子世界
• 关键词: AL-N共掺杂 ZnO薄膜 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2013,（22）
• 所属期刊栏目: 学术交流
• 页码范围: 172-172
• 页数: 1页
• 字数: 1388字
• 语种: 中文

摘要

ZnO薄膜具有高电导率、高可见光区透射率等特点，ZnO薄膜在透明导电材料[1](TCO)领域如太阳能电池、半导体激光器(LD)、发光二极管(LED)等光电器件上得到了广泛应用[2]。为制备高质量的ZnO薄膜，我们选择合适的衬底材料和良好的制备技术及工艺。本文采用磁控溅射实验方法[3]，在相同溅射条件下制备出了Al-N共掺ZnO薄膜和无掺杂ZnO薄膜，然后对这两种薄膜进行了AFM、XRD、Hal测试对比分析，确定了掺杂与非掺杂ZnO薄膜优缺点，实验结果表明掺杂为Al-N共掺ZnO薄膜的各项性能指标均优于未掺杂ZnO薄膜，为进一步研究ZnO薄膜在实际应用打下一定的基础。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵文海		13	10	2.0	2.0