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摘要:
ZnO薄膜具有高电导率、高可见光区透射率等特点,ZnO薄膜在透明导电材料[1](TCO)领域如太阳能电池、半导体激光器(LD)、发光二极管(LED)等光电器件上得到了广泛应用[2]。为制备高质量的ZnO薄膜,我们选择合适的衬底材料和良好的制备技术及工艺。本文采用磁控溅射实验方法[3],在相同溅射条件下制备出了Al-N共掺ZnO薄膜和无掺杂ZnO薄膜,然后对这两种薄膜进行了AFM、XRD、Hal测试对比分析,确定了掺杂与非掺杂ZnO薄膜优缺点,实验结果表明掺杂为Al-N共掺ZnO薄膜的各项性能指标均优于未掺杂ZnO薄膜,为进一步研究ZnO薄膜在实际应用打下一定的基础。
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文献信息
篇名 掺杂与非掺杂ZnO薄膜的对比分析
来源期刊 电子世界 学科
关键词 AL-N共掺杂 ZnO薄膜 磁控溅射
年,卷(期) 2013,(22) 所属期刊栏目 学术交流
研究方向 页码范围 172-172
页数 1页 分类号
字数 1388字 语种 中文
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1 赵文海 13 10 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
AL-N共掺杂
ZnO薄膜
磁控溅射
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期刊影响力
电子世界
半月刊
1003-0522
11-2086/TN
大16开
北京市
2-892
1979
chi
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