偏置条件对NPN及PNP双极晶体管电离辐射损伤的影响研究*

• 作者: 何世禹 兰慕杰 刘超铭 孙中亮 李兴冀* 杨剑群 肖立伊
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 双极晶体管 低能电子 电离辐射
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 页码范围: 477-482
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.098503

摘要

本文采用低能电子辐照源对NPN及PNP晶体管进行辐照试验.在辐照试验过程中,针对NPN及PNP晶体管发射结施加不同的偏置条件,研究偏置条件对NPN及PNP晶体管辐射损伤的影响.使用Keithley 4200-SCS半导体特性测试仪在原位条件下测试了双极晶体管电性能参数随低能电子辐照注量的变化关系.测试结果表明,在相同的辐照注量条件下,发射结反向偏置时双极晶体管的辐照损伤程度最大;发射结正向偏置时双极晶体管的辐照损伤程度最小;发射结零偏时双极晶体管的辐照损伤程度居于上述情况之间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何世禹	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	122	1160	17.0	24.0
2	肖立伊	哈尔滨工业大学航天学院	39	247	9.0	13.0
3	刘超铭	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	13	19	2.0	3.0
4	杨剑群	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	16	38	2.0	5.0
5	李兴冀*	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	2	11	2.0	2.0
6	兰慕杰	哈尔滨工业大学航天学院	4	35	2.0	4.0
7	孙中亮	哈尔滨工业大学材料科学与工程学院	2	10	1.0	2.0