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偏置条件对双极晶体管位移辐射损伤的影响
偏置条件对双极晶体管位移辐射损伤的影响
作者:
刘莉
刘超铭
李兴冀
杨剑群
董磊
马国亮
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
双极晶体管
重离子辐照
位移辐射
深能级缺陷
摘要:
选用35 MeV Si离子,针对 NPN及 PNP型双极晶体管(BJT)进行辐照实验,探究重离子辐照条件下双极晶体管辐射损伤及缺陷在不同发射结偏置条件下的影响规律.通过原位测试不同偏置条件的双极晶体管电流增益等参数随辐照注量的变化关系,研究了发射结偏置条件对双极晶体管辐射损伤的影响.此外,采用深能级瞬态谱(DLTS)针对辐照后的双极晶体管进行了测试,得到了双极晶体管内的辐射缺陷信息.基于电性能测试和 DLTS分析结果可以看出,双极晶体管辐照时所施加的偏置条件能够明显地影响器件的电性能参数和器件内的深能级缺陷浓度,不同类型的缺陷对于电性能的影响也存在明显差异.
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电离辐射
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文献信息
篇名
偏置条件对双极晶体管位移辐射损伤的影响
来源期刊
太赫兹科学与电子信息学报
学科
工学
关键词
双极晶体管
重离子辐照
位移辐射
深能级缺陷
年,卷(期)
2017,(5)
所属期刊栏目
微电子、微系统与物理电子学
研究方向
页码范围
874-879
页数
6页
分类号
TN957.51
字数
3941字
语种
中文
DOI
10.11805/TKYDA201705.0874
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
董磊
哈尔滨工业大学材料科学与工程学院
14
16
3.0
3.0
3
刘莉
中国空间技术研究院宇航物资保障事业部
2
1
1.0
1.0
6
刘超铭
哈尔滨工业大学材料科学与工程学院
13
19
2.0
3.0
7
李兴冀
哈尔滨工业大学材料科学与工程学院
19
54
3.0
7.0
8
杨剑群
哈尔滨工业大学材料科学与工程学院
16
38
2.0
5.0
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1974(1)
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1993(1)
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2002(2)
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2015(3)
参考文献(1)
二级参考文献(2)
2016(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
2017(3)
参考文献(0)
二级参考文献(3)
2017(3)
参考文献(0)
二级参考文献(3)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
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引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
双极晶体管
重离子辐照
位移辐射
深能级缺陷
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
太赫兹科学与电子信息学报
主办单位:
中国工程物理研究院电子工程研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
2095-4980
CN:
51-1746/TN
开本:
大16开
出版地:
四川绵阳919信箱532分箱
邮发代号:
62-241
创刊时间:
2003
语种:
chi
出版文献量(篇)
3051
总下载数(次)
7
总被引数(次)
11167
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