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摘要:
针对半球陀螺在研制流片时遇到的深腔内光刻难题,在现有条件下开展了深腔内光刻工艺实验。实验中将曝光间隙类比深腔深度,利用现有条件开展一系列实验。最终得出:在400~600μm曝光间隙内,采用现有光刻机进行深腔光刻工艺制作时,掩膜图形转移尺寸与曝光量有关,与曝光间隙没有明显关系。实验得出的工艺参数已经应用到半球陀螺项目的制作。
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文献信息
篇名 一种深腔内图形制作的光刻方法
来源期刊 集成电路通讯 学科 工学
关键词 深腔光刻 曝光量 曝光间隙 半球陀螺
年,卷(期) 2014,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 12-16
页数 5页 分类号 TN305.7
字数 语种
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王文婧 北方通用电子集团有限公司微电子部 9 0 0.0 0.0
2 王鹏 北方通用电子集团有限公司微电子部 6 0 0.0 0.0
3 陈璞 北方通用电子集团有限公司微电子部 7 0 0.0 0.0
4 何凯旋 北方通用电子集团有限公司微电子部 4 0 0.0 0.0
传播情况
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2014(0)
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研究主题发展历程
节点文献
深腔光刻
曝光量
曝光间隙
半球陀螺
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
集成电路通讯
季刊
大16开
安徽省蚌埠市06信箱
1983
chi
出版文献量(篇)
868
总下载数(次)
16
总被引数(次)
1121
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