TSV制程关键工艺设备技术及发展

• 作者: 段晋胜 魏红军
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 硅通孔 关键设备 铜填充
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 7-10,18
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 字数: 3525字
• 语种: 中文

摘要

论述了TSV技术发展面临的设备问题,并重点介绍了深硅刻蚀、CVD/PVD沉积、电镀铜填充、晶圆减薄、晶圆键合等几种制约我国TSV技术发展的关键设备.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏红军	中国电子科技集团公司第二研究所	3	7	2.0	2.0
2	段晋胜	中国电子科技集团公司第二研究所	3	7	2.0	2.0