高能中子诱发半导体器件产生单粒子翻转的模拟计算

• 作者: 于全芝 梁天骄 殷雯 胡志良
• 来源期刊: 中国科学（物理学 力学 天文学）
• 关键词: 高能中子 单粒子翻转 PHITS程序 SRAM单元
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 高能物理学
• 页码范围: 479-485
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1360/SSPMA2013-00085

摘要

随着半导体及电子工艺技术的迅速发展,器件向着小尺度、低电压、低电荷、高集成度迈进,大气中子对航空及地面的电子系统造成的单粒子效应越来越显著.本文采用PHITS2.24蒙特卡罗程序及其事件发生器功能,借助于核反应模型与截面数据,验算了描述器件发生单粒子翻转能力的MBGR参数,并采用大气高能中子能谱,对SRAM器件的单粒子翻转率进行了计算与分析.这为我们今后模拟大气中子产生的各类单粒子效应提供了基本方法,也为将来开展相应的辐照实验提供了理论基础.