国内硅烷法制备电子级区熔用多晶硅的进展

• 作者: 何凤池 牛晓龙 蔡春立 金晓鹏
• 来源期刊: 河北工业科技
• 学科: 工学
• 关键词: 硅烷热分解 多晶硅 高纯 区熔
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 综述与述评
• 页码范围: 452-456
• 页数: 5页
• 分类号: TQ127.2
• 字数: 4278字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7535/hbgykj.2014yx05019

摘要

对硅烷热分解法制备多晶硅的工艺作了介绍,探讨了硅烷法制备电子级多晶硅的优势.硅烷CVD法所沉积的多晶硅,在电阻率、少子寿命、杂质含量等方面符合高纯多晶硅的要求,纯度不仅可以达到国标(GB/T 12963-2009)电子一级品的标准,还可以满足区熔用超高纯多晶硅的要求.合理控制反应条件、保持反应环境的高度洁净,能够得到均匀、致密的高纯多晶硅棒,可以作为区熔法生产单晶硅棒的原料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	牛晓龙		1	11	1.0	1.0
2	蔡春立		2	11	1.0	2.0
3	何凤池		1	11	1.0	1.0
4	金晓鹏		1	11	1.0	1.0