多晶高阻长度对多晶电阻方块值的影响

• 作者: 任罗伟 谢立利 陈峰 陈恒江
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路 版图 电阻 长度
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 42-44
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.6
• 字数: 1336字
• 语种: 中文

摘要

在集成电路中光刻、腐蚀、横向扩散等工艺步骤常会引起电阻阻值的变化,因此在集成电路版图绘制过程中,版图画法对电阻的影响很大.在集成电路设计过程中电阻通常都设计得比较长,容易忽略电阻长度对阻值的影响.当需要将电阻长度设计得较小时,势必要考虑电阻长度对集成电路阻值的影响.在一些不同的工艺中,电阻变短时电阻长度对阻值的影响趋势很可能相反.对比不同工艺中多晶电阻制造的原理,通过流片取得一家工艺厂实际电阻的阻值,分析并比较与其类似的工艺,同时对比另一家工艺厂电阻阻值随长度变化的影响,给出区分多晶电阻长度对阻值影响的判别依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谢立利		3	1	1.0	1.0
2	陈峰		3	4	2.0	2.0
3	任罗伟		1	0	0.0	0.0
4	陈恒江		2	1	1.0	1.0