多晶硅片氧化前后方块电阻的变化实验研究

• 作者: 杜忠明 熊飞峤
• 来源期刊: 电源技术
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 氧化 方块电阻 变化
• 年，卷（期）: 2011,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与设计
• 页码范围: 670-672
• 分类号: TM914.4
• 字数: 3249字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-087X.2011.06.014

摘要

通过实验发现,多晶硅片在不同温度下氧化后方块电阻的变化情况不同.温度较高时,氧化后方块电阻降低;温度较低时,氧化后方块电阻升高;单晶硅在任何温度下氧化后方块电阻都是降低的.通过分析认为是多晶硅的结构使其氧化后方块电阻的变化情况与单晶硅不同.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	熊飞峤	遵义师范学院物理系	21	90	4.0	9.0
2	杜忠明	遵义师范学院物理系	8	5	1.0	2.0