硅基底的 CVD 扩磷工艺研究

• 作者: 何晓雄 杨旭 胡冰冰 马志敏
• 来源期刊: 合肥工业大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 硅基底 扩磷工艺 表面形貌 化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 电子科学与工程
• 页码范围: 192-195
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.4
• 字数: 2102字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-5060.2014.02.016

摘要

文章利用化学气相沉积（CVD）扩磷的方法，在单晶硅基底上进行扩磷工艺研究。采用X射线光电子能谱分析扩磷硅基底，通过原子力显微镜观察扩磷时间和温度对硅基底表面形貌的影响，并利用半导体特性测试仪研究扩磷时间和温度对硅基底 I-V 特性的影响。结果表明，扩磷温度和时间对硅基底的表面粗糙度和晶粒的平均尺寸影响较大，扩磷时间越长、温度越高，硅基底的电学特性越明显。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何晓雄	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	65	317	10.0	13.0
2	杨旭	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	8	27	3.0	5.0
3	胡冰冰	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	3	3	1.0	1.0
4	马志敏	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	2	2	1.0	1.0