退火温度对铜铟镓硒薄膜电学性能的影响

• 作者: 孙汝军 庄大明 曹明杰 李晓龙 欧阳良琦 赵明 郭力
• 来源期刊: 材料研究学报
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 太阳电池 铜铟镓硒 溅射 电学性能
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 745-750
• 页数: 6页
• 分类号: TM615
• 语种: 中文

摘要

使用磁控溅射铜铟镓硒(CuIn1-x GaxSe2,CIGS)四元陶瓷靶材制备沉积态预制膜,在240-550℃对预制膜进行退火处理,着重研究了退火温度对薄膜电学性能(载流子浓度及迁移率)的影响.结果表明:退火温度低于270℃时薄膜中存在CuSe低电阻相,CIGS薄膜的载流子浓度在1017-1019cm-3,迁移率在0.1 cm2·V-1·s-1左右,不适于作为太阳电池的吸收层;当退火温度高于410℃时薄膜中不存在CuSe相,薄膜具有10 cm2·V-1s-1左右的较高迁移率,载流子浓度在1014-1017cm-3;退火温度高于410℃时,随着退火温度的升高薄膜晶粒长大,结晶性增强,此时薄膜内部缺陷减少,载流子浓度升高;对于用作太阳电池吸收层的CIGS,从载流子浓度及迁移率的角度评判,合适的退火温度区间为450-550℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	庄大明		104	1374	22.0	32.0
2	赵明		75	574	13.0	21.0
3	郭力		7	2	1.0	1.0
4	曹明杰		6	15	1.0	3.0
5	欧阳良琦		6	7	1.0	2.0
6	孙汝军		3	0	0.0	0.0
7	李晓龙		5	68	2.0	5.0