CMOS毫米波低功耗超宽带共栅低噪声放大器

• 作者: 刘法恩 李智群 李竹 李芹 杨格亮 王志功
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 毫米波 宽带 互补金属氧化物半导体(CMOS) 共栅 低噪声放大器(LNA) 集成电路(IC)
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 页码范围: 584-590
• 页数: 7页
• 分类号: TN4
• 字数: 1022字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1010.2014.00584

摘要

陈述了一个基于单端共栅与共源共栅级联结构的超宽带低噪声放大器(LNA).该LNA用标准90-nm RFCMOS工艺实现并具有如下特征:在28.5～39 GHz频段内测得的平坦增益大于10 dB;-3 dB带宽从27～42 GHz达到了15 GHz,这几乎覆盖了整个Ka带;最小噪声系数(NF)为4.2dB,平均NF在27 ～ 42 GHz频段内为5.1 dB;S11在整个测试频段内小于-11 dB.40 GHz处输入三阶交调点(IIP3)的测试值为+2 dBm.整个电路的直流功耗为5.3 mW.包括焊盘在内的芯片面积为0.58 mm×0.48 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王志功	东南大学射频与光电集成电路研究所	342	2153	20.0	29.0
2	李智群	东南大学射频与光电集成电路研究所	76	576	10.0	20.0
3	李芹	东南大学射频与光电集成电路研究所	10	76	6.0	8.0
4	杨格亮	东南大学射频与光电集成电路研究所	1	9	1.0	1.0
5	刘法恩	东南大学射频与光电集成电路研究所	1	9	1.0	1.0
6	李竹	东南大学射频与光电集成电路研究所	8	30	3.0	5.0