碱性阻挡层抛光液各成分对CMP的影响

• 作者: 刘桂林 刘玉岭 李若津 栾晓东 王辰伟
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碱性阻挡层抛光液 去除速率 选择性 碟形坑 蚀坑
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 394-398
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2014.06.008

摘要

为实现图形片的全局平坦化,通过研究碱性阻挡层抛光液各成分对铜和介质(TEOS)去除速率的影响,遴选出一种碱性阻挡层抛光液.在此抛光液基础上添加不同质量分数的盐酸胍,对钽光片进行抛光,选出满足要求的抛光液,并在中芯国际图形片上验证此抛光液的修正能力.实验表明,当磨料质量分数为20％、盐酸胍质量分数为0.3％、Ⅰ型螯合剂(FA/O I)体积分数为1％、非表面活性剂体积分数为3％时,钽和TEOS去除速率之和是铜去除速率的3.3倍,此种碱性阻挡层抛光液对钽的去除速率为42 nm/min,各项参数均满足工业要求.与商用酸性、碱性抛光液相比,该抛光液对碟形坑和蚀坑有更好的修正能力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子研究所	263	1540	17.0	22.0
2	王辰伟	河北工业大学微电子研究所	80	287	8.0	10.0
3	栾晓东	河北工业大学微电子研究所	8	26	3.0	4.0
4	李若津	河北工业大学微电子研究所	3	12	3.0	3.0
5	刘桂林	河北工业大学微电子研究所	2	8	2.0	2.0