Ag 在 Si 表面吸附的第一性原理研究

• 作者: 侯贤华 张苗 汝强 王基蕴 胡社军 赵灵智
• 来源期刊: 华南师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: 表面吸附 Ag/Si(111) Ag/Si(220) 第一性原理
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 物理与光学工程
• 页码范围: 49-53
• 页数: 5页
• 分类号: O78
• 字数: 2752字
• 语种: 中文
• DOI: 10.6054/j.jscnun.2014.06.041

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法计算优化了Ag原子在硅惯习面Si（111）和Si（220）晶面的最佳吸附位置，并计算了Ag/Si（111）和Ag/Si（220）体系的表面吸附能和表面态电子结构．研究表明：Si基表面Ag原子的最稳定吸附居于Si（220）晶面的穴位，此时的吸附能最低，其值为5.2569 eV，属于强化学吸附；同时由于在Ag/Si（220）体系中，Ag-4d轨道和表面态Si-3s、3p轨道电子的强相互作用，以及Ag-4p轨道的电子云强偏向于Si-3s、3p轨道使得体系的能隙宽度变窄，导电性急剧增大．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡社军	华南师范大学物理与电信工程学院广东省量子调控工程与材料重点实验室	59	963	16.0	29.0
2	汝强	华南师范大学物理与电信	27	533	9.0	23.0
3	侯贤华	华南师范大学物理与电信工程学院广东省量子调控工程与材料重点实验室	26	204	9.0	13.0
4	赵灵智	华南师范大学光电子材料与技术研究所	38	573	11.0	23.0
5	张苗	华南师范大学物理与电信工程学院广东省量子调控工程与材料重点实验室	3	8	2.0	2.0
6	王基蕴	华南师范大学物理与电信工程学院广东省量子调控工程与材料重点实验室	1	2	1.0	1.0