化学气相沉积法制备GaN纳米线及其形貌结构和生长机理研究

• 作者: 万想 刘义鹤 孟宪权
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 纳米线 生长机制
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 研究?开发
• 页码范围: 2082-2085
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2164字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2014.02.017

摘要

采用化学气相沉积(CVD)法,分别以 Ni、Au为催化剂,氨化金属Ga制备出GaN纳米线。运用SEM,EDX,TEM等表征手段分析了 GaN 纳米线的形貌与结构。通过改变氨化温度、生长时间、催化剂、衬底以及 Ga 源和衬底间的距离等生长条件,研究了其对GaN纳米线形貌和结构的影响,通过分析探讨纳米线的生长过程与机制,得到了生长 GaN 纳米线的最佳工艺。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孟宪权	武汉大学物理科学与技术学院	18	45	4.0	5.0
2	万想	武汉大学物理科学与技术学院	1	2	1.0	1.0
3	刘义鹤	武汉大学物理科学与技术学院	2	5	2.0	2.0