半导体断路开关输出脉冲宽度的参数影响规律

• 作者: 戚玉佳 李永东 王古森 王洪广
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 半导体断路开关 数值模拟 截断特性 脉冲宽度
• 年，卷（期）: 2014,（6）
• 所属期刊栏目: 高功率微波
• 页码范围: 95-98
• 页数: 4页
• 分类号: O475
• 字数: 1923字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201426.063021

摘要

采用Silvaco TCAD软件,对P+-P-N-N+SOS结构输出脉冲宽度的参数影响规律进行了一维数值模拟研究,包括N+区扩散深度、有效横截面积、外电路参数等.模拟结果表明:随着N+区扩散深度、有效横截面积的增加和外电路电阻的增大,输出脉冲的宽度减小.通过参数优化,获得了脉宽约为4 ns的输出脉冲.