半导体断路开关输出预脉冲的产生机理及其参数影响规律

• 作者: 丁臻捷 方旭 李永东 王洪广 郝勇
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 半导体断路开关 预脉冲 脉冲前沿 迁移率 双极漂移 双边截断
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 所属期刊栏目: 脉冲功率技术
• 页码范围: 132-138
• 页数: 7页
• 分类号: O47
• 字数: 3281字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB201830.170516

摘要

半导体断路开关的输出电压中的预脉冲现象,严重影响了整个系统的输出脉冲前沿陡度和重复频率.针对半导体断路开关在反向截断过程中预脉冲产生的过程和机理进行了研究.利用 Silvaco Atlas 仿真软件对半导体断路开关正反向泵浦过程中载流子的迁移和电场的变化过程进行了详细考察,发现预脉冲的产生是由双边截断过程中 N-N+结截断所引起的脉冲前沿变缓现象,其长短主要取决于 P 型轻掺杂区内的少子电子的迁移率,而脉冲前沿的陡度则取决于双边截断过程中的PN结截断过程.同时,对具有不同基区长度的器件,对其在不同泵浦电流密度下的情况进行了模拟和对比,发现器件基区越窄,脉冲前沿越陡,而预脉冲基本相等;低电流密度条件下只发生 N-N+结单边截断,大电流密度条件下则发生双边截断,而双边截断的延迟更长,但脉冲前沿拐点更陡,截断更快.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	丁臻捷	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	17	261	8.0	16.0
3	方旭		5	16	2.0	4.0
4	李永东	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	42	184	8.0	11.0
5	王洪广	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	20	69	5.0	7.0
8	郝勇	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0