雾化施液CMP工艺及材料去除机制研究

• 作者: 朱仌 李庆忠 王陈 闫俊霞
• 来源期刊: 润滑与密封
• 学科: 工学
• 关键词: 雾化施液 CMP 工艺试验 材料去除机制
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 56-60
• 页数: 5页
• 分类号: TH111.71
• 字数: 2140字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0254-0150.2014.02.011

摘要

介绍通过雾化供液方式进行化学机械抛光（CMP）的工作原理以及试验装置设计，通过雾化供液抛光工艺试验考察该方法的抛光效果，分析其材料去除机制。结果表明，雾化施液CMP方法的抛光浆料利用率高，在达到去除率为257.5 nm/min，表面粗糙度小于3.8 nm的抛光效果时，雾化抛光液消耗量仅为350 mL。雾化抛光材料去除机制是表面材料分子级氧化磨损去除，即通过抛光液中氧化剂的化学作用使表面原子氧化并弱化其结合键能，通过磨粒的机械作用将能量传递给表面分子，使表面分子的能量大于其结合键能而被去除。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李庆忠	江南大学机械工程学院	47	113	5.0	6.0
2	闫俊霞	江南大学机械工程学院	17	26	4.0	4.0
3	朱仌	江南大学机械工程学院	4	17	3.0	4.0
4	王陈	江南大学机械工程学院	4	17	3.0	4.0