MEMS圆盘谐振器形变对电气刚度影响分析

• 作者: 俞权 包金艳 董林玺 陶家平
• 来源期刊: 传感技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: MEMS圆盘谐振器 静电力 惯性力 形变量 电气刚度
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 所属期刊栏目: 传感器研究
• 页码范围: 881-885
• 页数: 5页
• 分类号: TP212
• 字数: 3522字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-1699.2014.07.006

摘要

电气刚度是影响MEMS谐振器谐振频率精度的因素之一。但是对于谐振器受到应力时,产生的形变量对电气刚度的影响的理论研究报道甚少。鉴于此,本文对电容式盘结构谐振器受径向静电力和纵向惯性力下的形变量以及电气刚度的改变量进行了系统的理论分析。研究结果表明,当圆盘与电极间隙为50 nm,且电压达到50 V时,圆盘由于静电力产生的径向形变量可达间隙的2．05%,电气刚度改变6．15%。当圆盘半径为100μm,且受到10000 gn 的纵向惯性力时,其最大形变量可以达到圆盘厚度的2．4%,电气刚度改变2．4%。本文分析结果对其他盘结构谐振器的分析亦有重要借鉴意义。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董林玺	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	22	104	6.0	8.0
5	俞权	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	1	2	1.0	1.0
6	包金艳	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	1	2	1.0	1.0
7	陶家平	杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室	1	2	1.0	1.0