Buffer单元单粒子效应及其若干影响因素研究

• 作者: 李晓辉 杜明 邓玉良 邱恒功 邹黎
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: buffer 电荷收集 单粒子瞬态脉冲 TCAD仿真
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 186-189
• 页数: 4页
• 分类号: TN432
• 字数: 1587字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2014.02.004

摘要

基于标准0.13μm工艺使用Sentaurus TCAD软件采用3D器件/电路混合模拟方式仿真了buffer单元的单粒子瞬态脉冲。通过改变重离子的入射条件，得到了一系列单粒子瞬态电流脉冲( SET)。分析了LET值、入射位置、电压偏置等重要因素对SET峰值和脉宽的影响。研究发现，混合模式仿真中的上拉补偿管将导致实际电路中SET脉冲的形状发生明显的变化。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邱恒功		5	9	2.0	2.0
2	邓玉良		12	23	3.0	4.0
3	杜明		6	7	2.0	2.0
4	李晓辉		5	8	2.0	2.0
5	邹黎		5	8	2.0	2.0