氧等离子体刻蚀对石墨烯性能的影响?

• 作者: 何建廷 魏芹芹
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 石墨烯 氧等离子体轰击 缺陷 电学特性 拉曼光谱
• 年，卷（期）: 2014,（24）
• 所属期刊栏目: 工艺?技术
• 页码范围: 24087-24090
• 页数: 4页
• 分类号: TB34
• 字数: 3513字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2014.24.018

摘要

对机械剥离在Si O 2表面的多层石墨烯进行氧等离子体刻蚀，通过拉曼光谱、原子力显微镜和电学性能表征来研究氧等离子体轰击对石墨烯特性的影响。结果表明氧等离子体轰击会在表层石墨烯中引入大量缺陷，大量缺陷的存在又会诱导对石墨烯的进一步刻蚀，从而实现逐层刻蚀石墨烯。另外，氧等离子体轰击的过程在做了金属电极的石墨烯中引入金属颗粒等其它物质，这几方面的原因最终导致在氧等离子体刻蚀石墨烯的过程中石墨烯的两端电导呈现近似线性的减小，石墨烯出现n型掺杂效应。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何建廷	山东理工大学电气与电子工程学院	13	57	5.0	7.0
2	魏芹芹	山东理工大学电气与电子工程学院	16	61	5.0	7.0