PN型半导体电特性分析

• 作者: 张宝丽 罗光丽 苏安琴 鲁晓娟
• 来源期刊: 无线互联科技
• 关键词: PN结半导体 伏安特性 理论分析
• 年，卷（期）: 2014,（8）
• 所属期刊栏目: 设计分析
• 页码范围: 132-132,154
• 页数: 2页
• 字数: 1180字
• 语种: 中文

摘要

基于PN结半导体的理论知识，详细的介绍了PN结半导体的工作原理，通过实验描绘出了PN结伏安特性曲线，并利用基本理论知识对大学实验中“非线性电阻元件”的伏安特性进行解释。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	鲁晓娟	贵州师范大学物理与电子科学学院	3	4	2.0	2.0
2	苏安琴	贵州师范大学物理与电子科学学院	1	2	1.0	1.0
3	张宝丽	贵州师范大学物理与电子科学学院	2	4	2.0	2.0
4	罗光丽	贵州师范大学物理与电子科学学院	2	4	2.0	2.0