基于Sentaurus Device的4H-SiC PiN二极管的仿真

• 作者: 孙佳哲 王磊
• 来源期刊: 电脑知识与技术：学术交流
• 学科: 工学
• 关键词: 4H-Si C PI N二极管 SI Sen TAURUS DEVICE
• 年，卷（期）: 2014,（11X）
• 页码范围: 8034-8037
• 页数: 4页
• 分类号: TN312.4

摘要

该文通过4H-Si C Pi N二极管的模拟,给4H-Si C Pi N二极管加了一个5V电压,在室温T=300K的情况下分析了4H-Si C Pi N二极管的直流特性和温度特性,从而介绍了Synopsys Inc.开发的新一代的器件物理特性仿真工具Sentaurus Device的一些仿真功能。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王磊		374	3139	29.0	41.0
2	孙佳哲		4	1	1.0	1.0