MOSFET无损封装技术研究

• 作者: 刘驯 方逸裕 李彬
• 来源期刊: 电子世界
• 关键词: 无损封装 划片 上芯 焊线 功率MOSFET器件
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 所属期刊栏目: 科研发展
• 页码范围: 98-98,99
• 页数: 2页
• 字数: 3759字
• 语种: 中文

摘要

本文主要介绍功率MOSFET器件无损封装的研究。通过对封装过程中可能存在的一些易损伤环节进行了分析，同时根据测试发现不良样品的信息进行了反推解析，确定关键技术攻关问题点。该研究主要通过对MOSFET封装关键制程（划片、上芯、焊线三个环节）的工艺改善及优化，特别是创新的焊线定位装置设计，形成一套新颖有效的工艺流程，提升了MOSFET产品的测试良率。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	方逸裕		5	1	1.0	1.0
2	刘驯		4	0	0.0	0.0
3	李彬		2	0	0.0	0.0