低速84Kr15+,17+离子轰击GaAs单晶

• 作者: 宋张勇 徐秋梅 杨变 杨治虎 武晔虹 蔡晓红 郭义盼
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 表面形貌 光谱 高激发态
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 原子和分子物理学
• 页码范围: 053201-1-053201-6
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.053201

摘要

用345 keV的Kr15+和340 keV的Kr17+离子以45?角入射n型GaAs单晶(100)面,测量了表面形貌的变化和发射的375-500 nm Ga I和Kr II的特征光谱线. Krq+(q =15,17)离子轰击后表面形貌的变化主要取决于入射离子的电荷态q.离子沉积到靶表面的能量引起Ga原子激发,其辐射光谱为Ga I 403.2 nm和Ga I 417.0 nm.入射离子中性化过程中俘获GaAs导带电子形成高激发态原子,通过级联退激填充3p,4d等空穴, P壳层电子跃迁发射谱线为Kr II 410.0 nm, Kr II 430.4 nm, Kr II 434.0 nm和Kr II 486.0 nm, Kr II 486.0 nm为较强谱线.实验结果表明,入射离子与GaAs单晶相互作用发射的可见光产额与入射离子的电荷态密切相关,较高电荷态Kr17+离子入射产生的光辐射产额大约为Kr15+离子的两倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨治虎	中国科学院近代物理研究所	47	71	4.0	6.0
2	蔡晓红	中国科学院近代物理研究所	28	80	5.0	8.0
3	杨变	中国科学院近代物理研究所	2	1	1.0	1.0
7	宋张勇	中国科学院近代物理研究所	4	5	1.0	2.0
8	武晔虹	中国科学院近代物理研究所	2	3	1.0	1.0
12	徐秋梅	中国科学院近代物理研究所	4	0	0.0	0.0
13	郭义盼	中国科学院近代物理研究所	1	0	0.0	0.0