In2O3：Sn中间层改善B掺杂ZnO薄膜的性能及其应用研究

• 作者: 张晓丹 杜建 杨旭 白立沙 赵慧旭 赵颖 陈新亮 陈泽
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 掺硼氧化锌(BZO)薄膜 In2O3 Sn(ITO)中间层 表面形貌 太阳电池
• 年，卷（期）: 2014,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、力学和热学性质
• 页码范围: 056801-1-056801-8
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.63.056801

摘要

金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长的掺硼氧化锌(BZO)薄膜，具有天然的“类金字塔”绒面结构，作为硅基薄膜太阳电池的前电极具有良好的陷光效果.但直接获得的BZO薄膜表面形貌过于尖锐，影响后续硅基薄膜材料生长质量及太阳电池的光电转换效率.本文设计了以一层超薄In2O3： Sn(ITO)薄膜(～4 nm厚度)作为中间层的多层膜，并通过对顶层BZO薄膜的厚度调制，改善BZO 薄膜的表面特性，薄膜结构为：glass/底层BZO/ITO/顶层BZO.合适厚度的顶层BZO薄膜有助于获得类似“菜花状”形貌特征，尖锐的表面趋于“柔和”，而较厚的顶层BZO薄膜仍然保持“类金字塔状”结构.“柔和”的BZO薄膜表面结构有助于提高后续生长薄膜电池的结晶质量.将获得的新型“三明治”结构多层膜应用于p-i-n型氢化微晶硅(μc-Si：H)薄膜太阳电池，相比传统的BZO薄膜，电池的量子效率QE在500-800 nm 波长范围提高了～10%，并且电池的Jsc和Voc均有所提高.