InGaAs/InP基探测器材料的外延生长优化

何林杰; 夏伟; 杜玉杰; 牛晓晨; 田迎; 邓军

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InGaAs/InP基探测器材料的外延生长优化

InGaAs/InP基探测器材料的外延生长优化

作者：

何林杰夏伟杜玉杰牛晓晨田迎邓军

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INP/INGAAS

量子阱

红外探测器

PL谱

摘要：

利用室温光致荧光谱（PL）研究金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法中温度参数对InP 衬底上生长In0.53Ga0.47As/InP 量子阱材料质量的影响.通过两组实验分别研究并分析了生长温度对In0.53Ga0.47As 层和InP 层材料质量的影响,得到了In0.53Ga0.47As 层和InP 层最佳生长温度分别为650℃和600℃.利用优化条件制备In0.53Ga0.47As/InP基PIN 型探测器,得到器件的暗电流较优化前小2 个数量级.

内容分析

关键词云

关键词热度

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文献信息

篇名	InGaAs/InP基探测器材料的外延生长优化
来源期刊	应用物理前沿：中英文版	学科	其他
关键词	INP/INGAAS 量子阱红外探测器 PL谱
年，卷（期）	2015,（1）	所属期刊栏目
研究方向		页码范围	11-15
页数	5页	分类号	O
字数		语种
DOI

五维指标

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓军	北京工业大学电子信息与控制工程控学院、光电子技术省部共建教育部重点实验室	57	219	7.0	10.0
2	杜玉杰	北京工业大学电子信息与控制工程控学院、光电子技术省部共建教育部重点实验室	4	1	1.0	1.0
3	夏伟	北京工业大学电子信息与控制工程控学院、光电子技术省部共建教育部重点实验室	3	0	0.0	0.0
4	何林杰	北京工业大学电子信息与控制工程控学院、光电子技术省部共建教育部重点实验室	2	0	0.0	0.0
5	田迎	北京工业大学电子信息与控制工程控学院、光电子技术省部共建教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0
6	牛晓晨	北京工业大学电子信息与控制工程控学院、光电子技术省部共建教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0