InGaAs/InP基探测器材料的外延生长优化

• 作者: 何林杰 夏伟 杜玉杰 牛晓晨 田迎 邓军
• 来源期刊: 应用物理前沿：中英文版
• 学科: 其他
• 关键词: INP/INGAAS 量子阱 红外探测器 PL谱
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 页码范围: 11-15
• 页数: 5页
• 分类号: O

摘要

利用室温光致荧光谱（PL）研究金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法中温度参数对InP 衬底上生长In0.53Ga0.47As/InP 量子阱材料质量的影响.通过两组实验分别研究并分析了生长温度对In0.53Ga0.47As 层和InP 层材料质量的影响,得到了In0.53Ga0.47As 层和InP 层最佳生长温度分别为650℃和600℃.利用优化条件制备In0.53Ga0.47As/InP基PIN 型探测器,得到器件的暗电流较优化前小2 个数量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓军	北京工业大学电子信息与控制工程控学院、光电子技术省部共建教育部重点实验室	57	219	7.0	10.0
2	杜玉杰	北京工业大学电子信息与控制工程控学院、光电子技术省部共建教育部重点实验室	4	1	1.0	1.0
3	夏伟	北京工业大学电子信息与控制工程控学院、光电子技术省部共建教育部重点实验室	3	0	0.0	0.0
4	何林杰	北京工业大学电子信息与控制工程控学院、光电子技术省部共建教育部重点实验室	2	0	0.0	0.0
5	田迎	北京工业大学电子信息与控制工程控学院、光电子技术省部共建教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0
6	牛晓晨	北京工业大学电子信息与控制工程控学院、光电子技术省部共建教育部重点实验室	1	0	0.0	0.0