可见增强的32×32元平面型InGaAs/InP面阵探测器

• 作者: 唐恒敬 李淘 李雪 杨波 王云姬 邓洪海 邵秀梅 魏鹏 龚海梅
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铟镓砷探测器 可见增强 衬底减薄 量子效率
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 页码范围: 286-290
• 页数: 5页
• 分类号: TN215
• 字数: 2098字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2015.03.006

摘要

为了实现InGaAs探测器响应波段向可见增强,在传统的外延材料中加入一层InGaAs腐蚀阻挡层,制备了32×32元平面型InGaAs面阵探测器,采用机械抛光和化学湿法腐蚀相结合的方法,去除了InP衬底.结果表明,探测器的响应波段为0.5 ～1.7μm,室温下在波长为500 nm处的量子效率约为16％,850 nm处量子效率约为54％,1 550 nm处量子效率约为91％.暗电流大小与衬底减薄之前基本保持一致.理论分析了材料参数对器件量子效率的影响,为进一步优化可见波段探测器的量子效率提供了依据.