Vishay发布11颗采用GenⅡ超级结技术的新款500V高压MOSFET

• 作者: 赵佶
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 开关电源 转换效率 效率标准 GEN VISHAY 开关损耗 导通损耗 消费类产品 低导通电阻 反激式
• 年，卷（期）: bdtxx_2015,（1）
• 页码范围: 4-4
• 页数: 1页
• 分类号: TN386

摘要

【正】日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其500V系列高压MOSFET新增11颗新器件,这些器件适合应用在功率不超过500W的开关电源。这些Vishay Siliconix MOSFET具有与E系列600V和650V器件相同的优点极低导通损耗和开关损耗等,可帮助客户达到更高的性能/效率标准,例如某些高性能消费类产品、照明应用,以及ATX/银盒PC开关电源所要求的严格的80 PLUS转换效率标准。