量子隧穿和场致电子发射理论

• 作者: Shi - Dong Liang 褚鹏飞
• 来源期刊: 国外科技新书评介
• 学科: 工学
• 关键词: 量子隧穿效应 场致电子发射 纳米复合材料 半导体纳米线 纳米技术 纳米结构 纳米材料 凝聚态物理
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 页码范围: 9-9
• 页数: 1页
• 分类号: TB332

摘要

量子隧穿效应是量子力学的重要研究内容，在凝聚态物理、核物理、高能物理、表面科学和真空纳米设备中均有着广泛的应用。随着纳米技术的迅速发展，制备了许多纳米材料和纳米结构，如碳纳米管、石墨烯、半导体纳米线以及一些纳米复合材料。这些纳米技术的进步不仅有利于纳米器件的研制，更是纳米材料和纳米结构的量子隧穿效应和场致电子发射理论研究的基础。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	褚鹏飞		6	0	0.0	0.0