多孔硅场致电子发射

• 作者: 丁邦建 王维彪
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 多孔硅 场发射 冷阴极
• 年，卷（期）: 2000,（4）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 268-272
• 页数: 5页
• 分类号: TN383.1
• 字数: 1994字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-2780.2000.04.005

摘要

研究了多孔硅冷阴极的场致电子发射特性，实验表明采用电化学阳极腐蚀、氧化、蒸电极等工艺可以制备一种平面薄膜型多孔硅冷阴极。在超高真空环境下测量了多孔硅冷阴极的电子发射特性。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王维彪	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	29	91	6.0	7.0
2	丁邦建		3	9	2.0	3.0