Si基Er2O3薄膜初始生长的原位RHEED和AES研究

• 作者: 仇庆林 朱燕艳 苑军军
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: Er2O3 高k材料 界面演变 反射式高能电子衍射(RHEED) 俄歇能谱(AES)
• 年，卷（期）: 2015,（2）
• 所属期刊栏目: 材料与结构
• 页码范围: 98-102
• 分类号: TN304.21|TN304.07
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2015.02.007

摘要

采用分子束外延(MBE)法在Si(001)衬底上生长Er2O3高k薄膜材料.X射线衍射结果表明,用这一方法得到的硅基Er2O3薄膜是(440)取向的单晶,电学测试预示在Si和Er2O3薄膜的界面有一层很薄的界面层.为了研究Si/Er2O3异质结的界面,通过原位反射式高能电子衍射(RHEED)和俄歇能谱(AES)的方法对Er2O3薄膜在Si衬底上的初始生长情况进行研究.发现在清洁的Si衬底和有SiO2的Si衬底上生长Er2O3薄膜,原位RHEED图谱和AES都有不同的结果,预示着这两种不同的衬底上生长Er2O3薄膜的初始阶段有不同的化学反应.这一现象可能阐释了界面的演变和控制机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱燕艳	上海电力学院数理学院	21	14	2.0	3.0
2	苑军军	上海电力学院能源与机械工程学院	1	0	0.0	0.0
3	仇庆林	上海电力学院能源与机械工程学院	2	1	1.0	1.0