Er2O3单晶薄膜的生长及Er2O3/Si异质结的能带偏移

• 作者: 徐闰 方泽波 朱燕艳 樊永良 蒋最敏 薛菲 陈圣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Er2O3 异质结 晶体生长
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 411-414
• 页数: 4页
• 分类号: TN04
• 字数: 1956字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.102

摘要

利用分子束外延方法在p型Si(001)和Si(111)衬底上,在700℃0.93mPa的条件下实现了Er2O3单晶薄膜的生长.薄膜的结晶情况依赖于薄膜的生长温度和氧气压.较低的温度和氧气压下在薄膜内易生成硅化铒,薄膜也趋于多晶化.还利用光电子能谱对Er2O3/Si异质结的能带偏差进行了初步的研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蒋最敏	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	24	93	5.0	9.0
2	方泽波	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	4	12	2.0	3.0
3	陈圣	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	4	12	2.0	3.0
4	薛菲	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	4	4	1.0	1.0
5	樊永良	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	8	15	3.0	3.0
6	朱燕艳		21	14	2.0	3.0
7	徐闰	复旦大学应用表面物理国家重点实验室	2	20	1.0	2.0