高分辨X射线衍射表征氮化镓外延层缺陷密度

• 作者: 崔潆心 徐明升 徐现刚 胡小波
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 化学
• 关键词: 氮化镓薄膜 高分辨X射线衍射 位错密度
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1094-1098
• 页数: 5页
• 分类号: O657
• 字数: 3017字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15541/jim20150069

摘要

利用高分辨 X 射线衍射方法,分析了在4H-SiC(0001)面上采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长的GaN 薄膜的位错。采用对称面衍射和斜对称面衍射等方法研究了晶面倾转角、面内扭转角、晶粒尺寸和晶面弯曲半径等参数,通过排除仪器、晶粒尺寸及晶面弯曲对摇摆曲线半高宽的影响,从而获得 GaN 薄膜的螺位错密度和刃位错密度分别为4.62×107cm-2和5.20×109 cm-2,总位错密度为5.25×109 cm-2。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡小波	山东大学晶体材料国家重点实验室	67	321	9.0	14.0
2	徐现刚	山东大学晶体材料国家重点实验室	77	407	10.0	16.0
3	崔潆心	山东大学晶体材料国家重点实验室	5	18	3.0	4.0
4	徐明升	山东大学晶体材料国家重点实验室	5	14	3.0	3.0