应变硅结构的高分辨X射线衍射及其图谱分析

• 作者: 刘安生 屠海令 胡广勇 邵贝羚 马通达
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: TAD-DCD RLM 应变Si
• 年，卷（期）: 2006,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 175-178
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2225字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2006.z1.044

摘要

运用高分辨X射线双晶衍射(DCD)、三轴晶衍射(TAD)和TAD图谱对绝缘体上Si/SiGe/Si异质结构进行表征.利用TAD结合DCD(TAD-DCD)对称和非对称衍射测定了体Si衬底和外延层以及外延层之间的取向关系、SiGe外延层的Ge含量及其弛豫度等异质外延生长的重要参数.TAD倒易空间图谱能够给出全面的晶体结构信息.高分辨率TAD倒易空间图谱可实现对应变Si层应变量的测定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	屠海令		42	224	8.0	12.0
2	胡广勇		16	57	5.0	6.0
3	刘安生		30	133	6.0	10.0
4	邵贝羚		21	81	6.0	8.0
5	马通达		10	18	4.0	4.0