温度和氯源对大功率IGBT栅氧工艺的影响

• 作者: 刘国友 张泉 黄建伟
• 来源期刊: 大功率变流技术
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT 栅氧工艺 栅氧电荷 氧化温度 氯源
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 电力电子器件
• 页码范围: 41-44
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 语种: 中文
• DOI: 10.13889/j.issn.2095-3631.2015.06.009

摘要

采用C-V测试技术对大功率IGBT栅氧制备工艺中常用的两种栅氧生长方法——干氧和湿氧进行了研究,重点分析了氧化温度和氯源对栅氧化层工艺质量的影响,特别是对栅氧化层固定电荷和界面陷阱电荷的影响.研究结果表明:在1 000～1 150℃温度区间,非掺氯干氧通过高温氮气退火处理可获得好的固定电荷密度(Nss)特性,氧化温度对Nss影响很小,但对于掺氯千氧,当氧化温度超过1 050 ℃时,Nss会明显增大;通过450℃氢退火处理,可将干氧的界面陷阱电荷密度(Dit)控制在较低范围内,氧化温度和氯源对干氧的Dit影响不明显;在850～1 000℃温度区间,湿氧无法通过高温氮气退火和450℃氢退火处理而同时获得好的Nss和Dit特性,氧化温度和氯源对Nss和Dit的影响较干氧的明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张泉		1	0	0.0	0.0
2	刘国友		8	0	0.0	0.0
3	黄建伟		6	0	0.0	0.0