电化学制备多孔硅的工艺对其形貌的影响

• 作者: 单燕 徐伯庆 陈麟
• 来源期刊: 光学仪器
• 学科: 工学
• 关键词: 电化学 多孔硅形貌 N型硅
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 应用技术
• 页码范围: 9-13,23
• 页数: 6页
• 分类号: TN29
• 字数: 3617字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-5630.2015.01.003

摘要

采用电化学腐蚀方法,将不同比例的乙醇和质量分数为40％的氢氟酸混合,并以此混合液为腐蚀液,在光照条件下,制备了N型轻掺杂的多孔硅.讨论了不同电化学腐蚀条件对多孔硅结构的影响.研究表明,电流密度、腐蚀时间和氢氟酸质量分数越大时,制备的多孔硅越深,孔径也越大,当以上三者数值过大时会导致多孔硅机械强度急速减弱.由表面形貌可知,当多孔层孔径小于500 nm时其机械强度良好,当孔径超过这一阈值尤其是大于800 nm时,多孔层骨架则极易断裂.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐伯庆	上海理工大学光电信息与计算机工程学院	96	338	9.0	13.0
2	陈麟	上海理工大学上海市现代光学系统重点实验室	17	37	4.0	5.0
6	单燕	上海理工大学上海市现代光学系统重点实验室	1	7	1.0	1.0