电子束曝光制备YBa2Cu3O7-δ纳米级桥宽双晶结

• 作者: 余辉龙 梁瑞宇 沈卫康 熊焰明 王青云 花涛 许伟伟
• 来源期刊: 低温物理学报
• 关键词: 纳米级桥宽约瑟夫森双晶结 电子束曝光 太赫兹 晶界微桥宽度
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 页码范围: 435-438
• 页数: 4页
• 语种: 中文

摘要

传统的紫外线曝光难以制备微桥宽度不超过1微米的双晶约瑟夫森结.我们利用电子束曝光技术制备了纳米级别(几百纳米)桥宽YBa2Cu3O7-a双晶结,具有优良的电流-电压特性和微波响应特性.并分析60 K温度下100纳米膜厚的双晶结微桥宽度的变化对结正常态电阻RN、超导临界电流Ic、特征电压IcRN的影响规律.通过考虑结与外部微波电路的阻抗匹配、结检测太赫兹波灵敏度、超导电流大小对高次微波响应台阶影响以及结的特征电压四个因素,得到最佳的太赫兹波检测器中双晶结的微桥宽度为1微米左右.