HfO2基阻变存储器的电极效应

• 作者: 冯丽萍 刘正堂 李小晶 谭婷婷 郭婷婷 陈曦
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 关键词: HfO2薄膜 电阻转变机制 金属细丝 氧空位
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 2642-2645
• 页数: 4页
• 语种: 中文

摘要

研究了Cu/HfO2/ITO和TiN/HfO2/ITO 2种结构阻变存储器件的电阻转变特性.2种结构均表现出稳定的、可重复的双极电阻转变行为.Cu/HfO2/ITO器件的电阻转变机制是Cu导电细丝的形成,而对于TiN/HfO2/ITO器件,在TiN项电极和HfO2薄膜中会形成界面层,因此氧空位导电细丝的形成与断裂,是其主要的电阻转变机制.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈曦		18	100	6.0	9.0
2	刘正堂		120	749	14.0	21.0
3	冯丽萍		45	159	7.0	9.0
4	谭婷婷		8	10	2.0	3.0
5	郭婷婷		2	2	1.0	1.0
6	李小晶		1	0	0.0	0.0