C/C复合材料表面无催化剂CVD制备SiC纳米线的结构表征

• 作者: 刘云启 吴皇 易茂中 武帅 毛佩林 葛毅成
• 来源期刊: 中国有色金属学报（英文版）
• 关键词: SiC纳米线 C/C复合材料 化学气相沉积 生长机制 表征
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 所属期刊栏目: 功能材料
• 页码范围: 3258-3264
• 页数: 7页
• 字数: 664字
• 语种: 英文
• DOI: 10.1016/S1003-6326(15)63962-0

摘要

在无催化剂条件下，以CH3SiCl3为前驱体，采用化学气相沉积技术(CVD)在C/C复合材料表面制备SiC纳米线。SEM 形貌表明：CVD 产物有大量数十微米长的纳米线，部分纳米线团聚呈球状，同时也发现类似带刺板栗外壳的短纳米线聚集，且纳米颗粒在其表面沉积等现象。XRD、拉曼光谱和红外光谱分析结果表明，此产物为典型的β-SiC。TEM形貌表明，此类纳米线的直径分布范围为10~100 nm，一些较细的纳米线可通过无定形SiC与较粗的纳米线结合在一起。在一根较粗SiC纳米线的无定形区域长出一根与其直径相近的分支，二者之间的夹角为70°，其与β-SiC晶体中[111]轴堆垛夹角一致。SAED和FFT结果表明，纳米线的生长轴线较多，在纳米线的竹节状区域存在大量堆垛层错和孪晶。边缘弯曲的SiC纳米线晶格面表明，螺旋位错生长为其主要的生长机制。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	易茂中	中南大学粉末冶金国家重点实验室	144	1058	17.0	23.0
2	葛毅成	中南大学粉末冶金国家重点实验室	75	538	13.0	18.0
3	吴皇	中南大学粉末冶金国家重点实验室	6	12	3.0	3.0
4	武帅	中南大学粉末冶金国家重点实验室	6	23	2.0	4.0
5	刘云启	中南大学粉末冶金国家重点实验室	4	7	2.0	2.0
6	毛佩林	中南大学粉末冶金国家重点实验室	4	15	3.0	3.0