长电科技推出低内阻、小尺寸锂电MOSFET系列新品

• 作者: 江安庆
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 经济
• 关键词: 长电科技 范荣 焊接工艺 整体成本 长电位 芯片级封装 芯片制造 封装形式 中芯国际 电子产品
• 年，卷（期）: bdtxx_2015,（3）
• 页码范围: 5-6
• 页数: 2页
• 分类号: F426.63

摘要

【正】2015年5月22日,深圳长电科技有限公司召开2015年度锂电MOSFET系列新品发布会,宣布推出DFN2×3、CSP系列新品。深圳长电科技总经理杨国江、副总经理范荣定出席了本次发布会,业界相关企业和人士参加了发布会。新推出的DFN2×3封装产品具有相比DFN3×3封装产品,具有尺寸更小、有利缩减PCB宽度的优势,另外还具有贴片工艺简单、整体成本低、不易破裂、焊接工艺成熟和管脚排列简单,PCB设计布线简洁等五大优势,该产品拥有CJCD2003、CJCD2004、CJCD2005、CJCD2006、CJCD2007等多种型号。CPS产品虽然存在易碎、贴片工艺复杂和电教需要人工及成本等方面的不