欧盟HiPoSwitch项目发布氮化镓功率开关

• 作者: 科发
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 功率开关 氮化镓 HiPoSwitch 英飞凌公司 外延生长 导通电阻 最大电流 制造成本 强型 工业生产
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 页码范围: 12-12
• 页数: 1页
• 分类号: TN32

摘要

【正】欧盟项目组HiPoSwitch,成功研发了一款快速高效增强型氮化镓功率开关。单一器件晶体管仅4.5×2.5mm2,经过优化可应用于600V条件下,导通电阻75mΩ,最大电流120A。晶体管成品最终由英飞凌公司在马来西亚的生产线上进行低感应ThinkPAD外壳封装。比利时公司EpiGaN和Aixtron都已将研究方向由外延转向以硅作为外延生长的衬底,衬底制造成本因此降低为原来的十分之一。同时晶片直径增长至6英寸,甚至可达8英寸,而这是实现节省成本的工业生产的必要步骤,向实现批量工业生产的目标前进不少。