LPCVD氮化硅淀积工艺铁离子沾污研究

• 作者: 向华兵 廖乃镘 李仁豪 李贝 赵志国 阙蔺兰
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 铁离子沾污 氮化硅 低压化学气相淀积 表面光电压
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 63-65,70
• 分类号: TN305
• 语种: 中文

摘要

采用表面光电压技术研究了低压化学气相淀积(LPCVD)法氮化硅淀积工艺的Fe离子沾污.研究表明,在氮化硅淀积工艺中,NH3和SiH2 Cl2气体是Fe离子沾污的主要来源.通过对氮气进一步纯化处理、提高NH3和SiH2 Cl2气体纯度和更换传输气体的金属管路等措施,氧化工艺Fe离子沾污减少了一个数量级.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李仁豪		24	60	5.0	6.0
2	赵志国		4	4	1.0	2.0
3	李贝		5	7	2.0	2.0
4	廖乃镘		14	12	2.0	2.0
5	阙蔺兰		6	16	2.0	4.0
6	向华兵		6	4	1.0	2.0