Vishay发布11颗采用GenⅡ超级结技术的新款500V高压MOSFET

• 来源期刊: 电源技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: MOSFET 高压 技术 开关电源 新器件 开关损耗 导通损耗 转换效率
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 页码范围: 50-50
• 页数: 1页
• 分类号: TN386.1

摘要

2015年1月22日－日前，Vishay Intertechnology，Inc．（NYSE股市代号：VSH）宣布，其500V系列高压MOSFET新增11颗新器件，这些器件适合应用在功率不超过500W的开关电源。这些Vishay Siliconix MOSFET具有与E系列600V和650V器件相同的优点极低导通损耗和开关损耗等，可帮助客户达到更高的性能／效率标准，例如某些高性能消费类产品、照明应用，以及ATX／银盒PC开关电源所要求的严格的80PLUS转换效率标准。