美国研究者推出具有p型掩埋层电流阻断的垂直氮化镓晶体管

• 作者: 科信
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 垂直结构 二维电子气 加利福利亚 电场分布 芭芭拉 导通电阻 击穿电压 分子束外延法 近表面
• 年，卷（期）: bdtxx_2015,（5）
• 页码范围: 17-18
• 页数: 2页
• 分类号: TN32

摘要

<正>加利福利亚圣芭芭拉大学和亚利桑那州立大学近期研制出一种氮化镓电流孔径垂直电子晶体管(CAVET),该产品拥有p型掩埋层,能产生反向偏置pn结。CAVET将二维电子气和垂直结构相结合,在铝镓氮/氮化镓界面处的二维电子气能提供较高的导电性能,而垂直结构能使得产品在较低峰值的条件下具有较好的电场分布。