一种新型的耐高温碳化硅超结晶体管

• 作者: 王耀洲 秦海鸿 袁源 谢畅
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体元件 碳化硅超结晶体管 耐高温 低损耗
• 年，卷（期）: 2015,（5）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 976-979
• 页数: 4页
• 分类号: TN325.3
• 字数: 2142字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2015.05.003

摘要

对SiC BJT的特性和参数进行了分析研究.以GeneSiC公司的1 200 V/7 A SiC超结晶体管为例,详细阐述了其静态特性、栅极控制特性、动态特性及安全工作区.并与目前商用最好水平的Si-IGBT进行了对比研究.SiC SJT在250 ℃时开关时间小于15 ns,325℃时漏电流低于100 uA,电流增益高达72,反向偏置安全工作区呈矩形,无二次击穿,具有承受长达22 μs短路的能力.以100 kHz、800 V/7 A下进行开关动作时,SiC SJT与SiC肖特基二极管组合起来的开关损耗,比采用Si IGBT和Si快恢复续流二极管组合的降低64％左右,适合高频工作.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦海鸿	南京航空航天大学自动化学院	99	729	14.0	23.0
2	袁源	南京航空航天大学自动化学院	4	47	2.0	4.0
3	王耀洲	南京航空航天大学自动化学院	1	2	1.0	1.0
4	谢畅	南京航空航天大学自动化学院	1	2	1.0	1.0