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摘要:
<正>这项突破是向下一代光集成电路技术迈出了重要一步。Imec和Ghent大学首次在CMOS试点工艺线上在300mm硅衬底上进行InP激光器阵列的单片集成。这项发表在自然光子学杂志上的最新研究突破提供了大量制备性价比高的单片集成激光源的光集成电路的新途径。这种激光推动的光集成电路能够
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性能
CO2激光器在大学物理实验教学中的应用
CO2激光器
大学物理实验
应用
键合法制备硅基1.55μm InP-InGaAsP量子阱激光器
直接键合
长波长激光器
硅基
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 Imec和Ghent大学演示了在300mm硅衬底上制备的InP激光器阵列
来源期刊 半导体信息 学科 工学
关键词 光集成电路 Ghent IMEC INP 硅衬底 激光源 光子学 单片集成 工艺线 激光波长
年,卷(期) bdtxx_2015,(6) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 28-29
页数 2页 分类号 TN248
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研究主题发展历程
节点文献
光集成电路
Ghent
IMEC
INP
硅衬底
激光源
光子学
单片集成
工艺线
激光波长
研究起点
研究来源
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研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
双月刊
16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
1990
chi
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